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            联系人: 陈光珠
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            薄膜衬底 >> 半导体薄膜基片 >> InAs单晶基片
            InAs单晶基片
             

             
            简要介绍
             InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2~14μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。
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            详细参数

             

            InAs单晶基片

            InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 214μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术(LEC)。

            晶体
            结构
            晶向
            熔点
            oC
            密度
            g/cm3
            禁带宽度
            InAs
            立方,
            a=6.058 A
            <100>
            942
            5.66
            0.45

             

             

             

             

             

            主要性能参数
            单晶
            掺杂
            导电类型
            载流子浓度
            cm-3
            迁移率(cm2/V.s)
            位错密度(cm-2)
            标准基片
            InAs
            本征
            N     
                 5*1016
            2*104
            <5*104
            Φ2″×0.5mm
            Φ3″×0.5mm
            InAs
            Sn
            N
            (5-20)*1017
            >2000
            <5*104
            Φ2″×0.5mm
            Φ3″×0.5mm
            InAs
            Zn
            P
            (1-20) *1017
            100-300
            <5*104
            Φ2″×0.5mm
            Φ3″×0.5mm
            InAs
            S
            N
            (1-10)*1017
            >2000
            <5*104
            Φ2″×0.5mm
            Φ3″×0.5mm
            尺寸(mm)
            Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
            表面粗糙度
            Surface roughness(Ra):<=5A
            可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
            抛光
            单面或双面
            包装
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