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            薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> 铝酸镁钪(ScMgAlO4)
            铝酸镁钪(ScMgAlO4)
             

            008
             
            简要介绍
            ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。
            详细参数

            铝酸镁钪(ScMgAlO4)

            ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaNZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaNZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScAlMgO4晶体属于六方晶系,晶格常数a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面体层状结构,与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。

            ScAlMgO4是一种与GaNZnO 晶格常数和结构非常匹配的衬底材料(表1。它与GaN的晶格失配率约为1.8%,与ZnO的晶格失配率仅为0.09%,a轴的热膨胀系数为6.2×10-6/℃,c轴的热膨胀系数为12.2×10-6/℃,GaN、ZnO外延薄膜之间的热膨胀系数失配比传统的蓝宝石和硅等衬底好的多。

            主要衬底材料与GaNZnO的晶格失配率

            衬底材料

            ScAlMgO4

            (0001)

            ZnO

            (0001)

            SiC

            (0001)

            β-Ga2O3

            (100)

            Al2O3

            (0001)

            Si

            (111)

            GaN失配

            +1.8%

            +2.3%

            -3.5%

            +5%

            -13%

            +16.9%

            ZnO失配

            +0.09%

            ---

            -5.2%

            -6.5%

            -18.4%

            +40.1%

            提供产品:

            方向:(0001

            尺寸:5×5mm, 10*10mm, 15*15mm, 20*20mm

             
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