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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
            传  真: 021-69918550
            邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
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            薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> 氮化镓(GaN)
            氮化镓(GaN)
             

            06
             
            简要介绍
            GaN具有宽的直接带隙,强的原子键,高的热导率等性质和强的抗辐照能力,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的换代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED,蓝紫、紫外光LD、紫外探测器以及高频大功率电子器件。
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            详细参数

            产品型号Item
            GaN-FS-10
            GaN-FS-15
            尺寸Dimensions
            10.0mm×10.5mm
            14.0mm×15.0mm
            孔洞密度Marco Defect Density
            A Level
            0 cm-2
            B Level
            ≤ 2 cm-2
            厚度Thickness
            Rank 300
            300 ± 25 µm
            Rank 350
            350 ± 25 µm
            Rank 400
            400 ± 25 µm
            晶体取向Orientation
            C-axis(0001) ± 0.5°
            TTV(Total Thickness Variation)
            ≤15 µm
            弯曲度BOW
            ≤20 µm
            导电类型Conduction Type
            N-type
            Semi-Insulating
            电阻率Resistivity(300K)
            < 0.5 Ω·cm
            >106 Ω·cm
            位错密度Dislocation Density
            Less than 5x106 cm-2
            有效面积Useable Surface Area
            > 90%
            抛光Polishing
            Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
            Back Surface: Fine ground
            包装Package
            Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

             
            版权所有 上海大恒光学精密机械有限公司光电材料事业部
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