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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
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            晶体材料 >> 半导体晶体 >> 砷化镓(GaAs)
            砷化镓(GaAs)
             

            06
             
            简要介绍
            资料下载 点击下载
            详细参数

            主要性能参数

            单晶

            掺杂

            导电类型

            载流子浓度cm-3

            位错密度cm-2

            生长方法

            标准基片(mm

            GaAs

            Si

            N

            >5×1017

            <5×105

            VGF(垂直梯度凝固法)

            HB(垂直布里奇曼法)

            Dia2″×0.35

            Dia100×0.35

            晶向

            (100) 0°±0.5°

            (100) 2°±0.5°off toward <111>A

            (100)15°±0.5°off toward <111>A

            尺寸(mm)

            25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

            可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

            表面粗糙度

            Surface roughness(Ra):<=5A
            可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

            抛光

            单面或双面

            包装

            100级洁净袋,1000级超净室

             
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