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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
            传  真: 021-69918550
            邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
            sales@sgcrystal.com
             
            晶体材料 >> 半导体晶体 >> 硅(Si)
            硅(Si)
             

            02
             
            简要介绍
             Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。 
            资料下载 点击下载
            详细参数

             

            主要性能参数

            晶体结构

            面心立方

            熔点(℃)

            1420

            密度

            2.4g/cm3

            导电类型/掺杂物质

            I型非掺

            PB

            NP

            >1000Ωcm

            10-3~104Ωcm

            10-3~104Ωcm

            E P D

            ≤100∕cm2

            ≤100∕cm2

            ≤100∕cm2

            氧含量(∕cm3

            ≤1~1.8×1018

            ≤1~1.8×1018

            ≤1~1.8×1018

            碳含量(∕cm3

            ≤5×1016

            ≤5×1016

            ≤5×1016

            尺寸

            10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm

            可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片

            厚度

            0.3-0.5mm、1.0mm

            尺寸公差

            <±0.1mm

            厚度公差

            <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm

            抛光

            单面或双面

            晶面定向精度

            ±0.5°

            边缘定向精度

            2°(特殊要求可达到1°以内)

            取向

            <100>、<110>、<111>

            包装

            100级洁净袋,1000级超净室

             
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