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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
            传  真: 021-69918550
            邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
            sales@sgcrystal.com
             
            晶体材料 >> 光电晶体 >> 二氧化硅(SiO2)
            二氧化硅(SiO2)
             

            02
             
            简要介绍
            SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。
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            详细参数

            主要性能参数
            生长方法
            水热法
            晶体结构
            六方
            晶格常数
            a=4.914Å    c=5.405 Å
            熔点(℃)
            1610℃(相转变点:573.1℃)
            密度
            2.684g/cm3
            硬度
            7(mohs)
            热熔
            0.18cal/gm
            热导率
            0.0033cal/cm℃
            热电常数
            1200uv/℃(300℃)
            折射率
            1.544
            热膨胀系数
            α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
            Q值
            1.8×106 min
            声速、声表级
            3160(m/sec)
            频率常数
            1661(kHz/mm)
            压电偶合
            K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
            晶向
            Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
            主定位边:根据客户要求定方向±30分
            次定位边:根据客户要求定方向
            籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm
            抛光面
            外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
            工作区域:基片直径-3mm
            弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
            工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
            坑和划痕:每片<3,每100片<20
            标准厚度
            0.5mm±0.05mm TTV<5um
            标准直径
            Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
            主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
            次定位边:10mm±1.5mm

             
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