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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
            传  真: 021-69918550
            邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
            sales@sgcrystal.com
             
            薄膜衬底 >> 半导体薄膜基片 >> 锗(Ge)
            锗(Ge)
             

            01
             
            简要介绍
            用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池衬底等材料。 
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            详细参数

            主要性能参数
            生长方法
            提拉法
            晶体结构
            立方
            晶格常数
            a=5.65754 Å       
            密 度
            5.323g/cm3
            熔点
            937.4℃
            掺杂物质
            不掺杂
            掺Sb
            掺In或Ga
            类型
            /
            N
            P
            电阻率
            >35Ωcm
            0.05Ωcm
            0.05~0.1Ωcm
            EPD
            <4×103∕cm2
            <4×103∕cm2
            <4×103∕cm2
            尺寸
            10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
            dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
            厚度
            0.5mm,1.0mm
            抛光
            单面或双面
            晶向
            <100>、<110>、<111>、±0.5º
            晶面定向精度:
            ±0.5°
            边缘定向精度:
            2°(特殊要求可达1°以内)
            斜切晶片
            可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
            Ra:
            ≤5Å(5µm×5µm)
            包装
            100级洁净袋,1000级超净室

             
            版权所有 上海大恒光学精密机械有限公司光电材料事业部
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