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            联系人: 陈光珠
            电  话: 021-69918486,69918652
            手  机: 13788950882
            传  真: 021-69918550
            邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
            sales@sgcrystal.com
             
            薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
            SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
             

            02
             
            简要介绍
               SiC单晶具有许多优良的性质,热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等,适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。
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            详细参数

            主要性能参数
            生长方法
            籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
            晶体结构
            六方
            晶格常数
            a=3.08 Å     c=15.08 Å 
            密度
            3.21 g/cm3
            方向
            生长轴或 偏<0001> 3.5 º
            带隙
            3.26 eV (间接)
            硬度
            9.2(mohs)
            热传导@300K
            5 W/ cm.k
            介电常数
            e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
            尺寸
            10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
            Dia2",Di3",Dia4"
            厚度
            0.35mm,
            抛光
            单面或双面
            晶向
            <0001>±0.5º
            晶面定向精度:
            ±0.5°
            边缘定向精度:
            2°(特殊要求可达1°以内)
            斜切晶片
            可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
            Ra:
            ≤5Å(5µm×5µm)
            包装
            100级洁净袋,1000级超净室

             
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