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            联系人: 陈光珠
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            手  机: 13788950882
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            薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> 氧化锌(ZnO)
            氧化锌(ZnO)
             

            01
             
            简要介绍
              氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。

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            详细参数

            主要性能参数
            晶体结构
            六方
            晶格常数
            a=3.252Å    c=5.313 Å
            密度
            5.7(g/cm3
            硬度
            4(mohs)
            熔点
            1975℃
            热膨胀系数
            6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
            热 容
            0.125 cal /g.m
            热电常数
            1200 mv/k @ 300 ℃
            热 导
            0.006 cal/cm/k
            透过范围
            0.4-0.6 um > 50% at 2mm
            晶向
            <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
            尺寸(mm)
            25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
            可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
            表面粗糙度
            Surface roughness(Ra):<=5A
            可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
            抛光
            单面或双面
            包装
            100级洁净袋,1000级超净室

             
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